2019年12月27日上午，江苏天科合达半导体有限公司投产仪式在徐州经济技术开发区凤凰湾电子信息产业园内拉开序幕。
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莅临投产仪式的有：中国科学院物理研究所党委书记文亚；新疆生产建设兵团科技局原局长田笑明；中国科学院大学党委副书记高随祥；国家集成电路产业大基金唯一管理机构——华芯投资管理有限责任公司投资一部总经理汤树军；北京天科合达半导体股份有限公司法人代表、总经理，江苏天科合达半导体有限公司董事长杨建；中国科学院物理所重点实验室主任，北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家陈小龙；日本高鸟公司副社长松田；江苏中科汉韵半导体有限公司总经理许恒宇；等一批半导体业内精英、大咖共百余人参加了投产仪式。
现场与会领导及嘉宾参观了江苏天科合达生产车间，车间内250台（套）碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛设备的碳化硅衬底生产线早已安装就绪，蓄势待发。据悉，江苏天科合达半导体项目总投资5亿元，占地面积26000平方米，可实现年产4-8英寸碳化硅衬底6万片，该项目顺利建成投产标志着天科合达的碳化硅产业化进程跨出了关键的一步，同时也标志着我国第三代半导体碳化硅衬底产业的发展进入一个崭新的阶段。
另据半导体行业观察，为了发展碳化硅，天科合达在去年还收购了不少碳化硅专利。去年12月11日，天科合达发布公告，公司将购买股东中国科学院物理研究所独有以及与公司共有部分专利。公告显示，经与中国科学院物理研究所协商，天科合达拟现金出资购买中国科学院物理研究所独有以及与公司共有的碳化硅相关专利，该部分无形资产评估价值1021.81万元，拟定收购价格为1021.81万元。
北京天科合达半导体股份有限公司于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，目前注册资本为10364.2866万元，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业。公司为全球SiC晶片的主要生产商之一，并于2017年4月10日挂牌新三板。
