捷捷微电：公司拥有碳化硅、氮化镓相关实用新型专利4件
捷捷微电(300623)2019年度业绩网上说明会周二下午在全景网举办，公司董事长、总经理黄善兵表示，公司已与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截止至2020年4月28日，公司拥有碳化硅、氮化镓相关实用新型专利4件，公司还有4个发明专利，1个实用新型专利尚在申请受理中。
此外，公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。
公司目前有两个团队，公司于2017年成立的MOSFET事业部，研发团队设在无锡市传感器产业园，该团队主要研究功率MOS；上海捷捷团队：创始团队由来自业界国际知名半导体公司的核心研发和管理人员组成，将坚守品质、持续创新，充分发挥技术和经验优势，把低功耗、节能环保和高频高效功率器件作为技术创新的突破目标，着力攻克 MOSFET SGT 等关键核心技术，助力整个捷捷微电平台的技术和产业创新发展。产品应用端将努力抓住替代进口存量市场，并深入 5G、汽车电子、光伏、物联网、工业控制和智能电子化等新需求。
